vetitë e produktit
LLOJI
PËRSHKRUAJ
kategori
Produkte gjysmëpërçuese diskrete
Transistor – FET, MOSFET – Single
prodhuesi
Infineon Technologies
seri
CoolGaN™
Paketa
Shirit dhe bobina (TR)
Shirit prerës (CT)
Rrotulla e personalizuar Digi-Reel®
Statusi i produktit
ndërprerë
Lloji FET
N kanal
teknologjisë
GaNFET (Nitridi i galiumit)
Tensioni i burimit të shkarkimit (Vdss)
600 V
Rryma në 25°C – Kullim i vazhdueshëm (Id)
31A (Tc)
Tensioni i drejtimit (Rds maksimale Aktiv, Min Rds Aktiv)
-
Në rezistencë (maksimum) në ID të ndryshme, Vgs
-
Vgs(th) (maksimumi) në ID të ndryshme
1,6V @ 2,6mA
Vgs (maksimumi)
-10 V
Kapaciteti i hyrjes (Ciss) në Vd të ndryshme (maksimumi)
380pF @ 400V
Funksioni FET
-
Shpërndarja e energjisë (maksimumi)
125 W (Tc)
temperatura e funksionimit
-55°C ~ 150°C (TJ)
lloji i instalimit
Lloji i montimit sipërfaqësor
Paketimi i pajisjes së furnizuesit
PG-DSO-20-87
Paketa / Shtojcë
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00mm gjerësi)
Numri bazë i produktit
IGOT60
Media dhe Shkarkime
LLOJI I BURIMEVE
LIDHJE
Specifikimet
IGOT60R070D1
Udhëzuesi i përzgjedhjes GaN
Modaliteti elektronik CoolGaN™ 600 V Përmbledhje e GaN HEMTs
Dokumente të tjera të lidhura
GaN në përshtatës/karikues
GaN në Server dhe Telekom
Realizueshmëria dhe kualifikimi i CoolGaN
Pse CoolGaN
GaN në karikimin me valë
skedar video
Platforma e vlerësimit të gjysmë urës HEMT në modalitetin elektronik CoolGaN™ 600V që paraqet GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – paradigma e re e fuqisë
Tabela e vlerësimit PFC me pol totem me urë të plotë 2500 W duke përdorur CoolGaN™ 600 V
Specifikimet HTML
Modaliteti elektronik CoolGaN™ 600 V Përmbledhje e GaN HEMTs
IGOT60R070D1
Klasifikimi i Mjedisit dhe Eksportit
ATRIBUTET
PËRSHKRUAJ
Statusi RoHS
Në përputhje me specifikimet ROHS3
Niveli i ndjeshmërisë ndaj lagështirës (MSL)
3 (168 orë)
Statusi REACH
Produkte jo-REACH
ECCN
VESH 99
HTSUS
8541.29.0095
